芯東西（公眾號：aichip001）
作者 | ?高歌
編輯 | ?Panken
芯東西2月10日報道，今天，國產功率半導體廠商東微半導（股票代碼：688261）以發行價130元/股登陸科創板。
開市后，東微半導股價有所上漲，最高漲至148元/股，之后有所回落。截至芯東西成文，東微半導報138元/股，漲幅6%，總市值92億元。
東微半導的產品主要應用于工業及汽車等中大功率應用領域，是國內少數具備從專利到量產完整經驗的高性能功率器件設計公司之一，曾打破外國廠商充電樁用高壓超級結MOSFET器件壟斷，被《人民日報》所報道。
根據市場咨詢公司Omdia數據，以2019年MOSFET功率器件銷售額計算，東微半導在中國本土廠商中排名第七。報告期內，東微半導營收持續增長，2018年-2021年上半年各期營收分別為1.53億元、1.96億元、3.09億元和3.21億元。
由于東微半導股權較為分散，不存在控股股東，其實際控制人為公司聯合創始人王鵬飛和龔軼。
▲東微半導股權結構
本次IPO，東微半導計劃募集資金9.39億元，將分別用于“超級結與屏蔽柵功率器件產品升級及產業化”、“新結構功率器件研發及產業化”、“研發工程中心建設”和“科技與發展儲備資金”4個項目。
▲東微半導募集資金投資情況
一、創始人研究登Science，直流充電樁產品打破國外廠商壟斷
東微半導的前身東微有限設立于2008年9月，注冊資本10萬元，兩位聯合創始人王鵬飛、龔軼分別認繳5.5萬元和4.5萬元。
王鵬飛和龔軼兩人均曾在國外留學，并就職于AMD、英飛凌等國際芯片巨頭。王鵬飛為德國慕尼黑工業大學博士，曾在英飛凌存儲器研發中心擔任研發工程師，2006年5月擔任奇夢達技術創新和集成部門研發工程師。
2008年9月，王鵬飛和龔軼聯合創辦了東微有限；2009年6月，王鵬飛成為復旦大學微電子學院教授，并于2013年研制出全球首個半浮柵晶體管（SFGT，Semi-FloatingGate Transistor），文章發表在頂級學術期刊Science上，這是我國微電子領域研究首次登上Science，新聞聯播和人民日報、青年報等都對此有所報道。2021年4月至今，王鵬飛任東微半導首席技術官。
龔軼則為英國紐卡斯爾大學碩士，曾先后在AMD、英飛凌任工程師和技術專家；2020年11月至今，龔軼任東微半導董事長兼總經理。
▲東微半導董事長、總經理龔軼
2016年4月，東微半導自主研發的650V、80A快恢復GreenMOS產品實現量產，并進入直流充電樁領域，打破了這一領域國外廠商的壟斷。
二、半年收入破3億，產品性能比擬氮化鎵器件
報告期內，東微半導營收持續增長，2018年-2020年其營收分別為1.53億元、1.96億元和3.09億元，復合增長率為42.11%。2021年上半年，東微半導營收為3.21億元，超過2020年全年營收。
利潤方面，東微半導2018年-2020年凈利潤分別為1297.43萬元、911.01萬元和2768.32萬元。2021年上半年，東微半導凈利潤達5180.53萬元。
▲東微半導2018年-2021年上半年營收與凈利潤變化
主營業務上，東微半導的主要收入來源為高壓超級結MOSFET器件，2018年-2020年該產品收入占比均超過80%。其產品主要分為MOSFET和IGBT兩類，其中MOSFET產品分為高壓超級結MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET和超級硅MOSFET三類，其IGBT產品則采用了不同于國際主流自研的TGBT器件結構。
2020年，東微半導IGBT產品尚未實現營收。
▲2020年東微半導主營業務收入占比
具體來說，東微半導的高壓超級結MOSFET工作電壓在400V以上，可用于工業LED照明、新能源汽車充電樁等，具有高頻、驅動簡單、抗擊穿性好等特點；其中低壓屏蔽柵MOSFET器件一般工作電壓覆蓋25V-150V，主要應用于電池保護、電機驅動器等；東微半導的IGBT產品工作電壓包括600V-1350V，適用于新能源汽車充電樁、變頻器、逆變器、電機驅動、電焊機、太陽能等領域。
▲東微半導產品與應用范圍
東微半導的超級硅MOSFET則是其自主研發，對標氮化鎵功率器件的產品。招股書稱，通過調整器件結構、優化制造工藝，其超級硅MOSFET產品突破了傳統硅基功率器件的速度瓶頸，在電源應用中達到了接近氮化鎵功率器件開關速度的水平。
相比氮化鎵功率器件，該產品具有工藝成熟度高、成本低、可靠性高等優勢，且東微半導正在推進超級硅系列產品在12英寸產線上的量產。
▲東微超級硅65W PD快充DEMO與蘋果30W充電器體積對比（來源：東微半導）
報告期內，東微半導的前五大客戶包括凱新達電子、睿創電子等，主要以經銷商為主，其主要終端客戶包括客戶A、高斯寶電氣、永聯科技、柏怡電子、明緯電子等。
▲東微半導2018年-2021年上半年前五大客戶
由于東微半導采用Fabless（無晶圓廠）模式，不直接從事芯片的生產和加工環節，其主要采購內容為晶圓與封測服務。
報告期內，華虹半導體為其主要的晶圓供應商，2018年-2020年東微半導對華虹半導體的晶圓采購金額占總采購金額比例均在80%以上。東微半導的主要封測服務供應商則為天水華天，報告期內其采購金額占比在10%以上。
▲東微半導2018年-2021年上半年前五大供應商
三、本土MOSFET廠商銷售額第七，研發人員占比46%
在功率半導體領域，國際廠商優勢明顯，全球前十大功率半導體公司均為海外廠商，包括英飛凌、德州儀器、安森美、意法半導體、亞德諾、高通、瑞薩電子等。
當前東微半導的主要收入來源為硅基MOSFET產品，單一產品類別收入的占比較高。在和行業龍頭競爭時，東微半導在IGBT、功率器件模塊等方面的技術儲備不足，品牌知名度和影響力均存在劣勢。
▲全球前十大功率半導體廠商及銷售額
同時，功率器件正不斷朝第三代半導體材料方向發展，雖然東微半導已有碳化硅功率器件的樣品，但在第三代半導體材料的研發布局上落后于國際巨頭，未來存在競爭風險。
而在國內，東微半導是少數專注工業級高壓超級結MOSFET領域的半導體廠商，其高壓超級結MOSFET產品在TO247封裝體內同時實現了650V耐壓平臺以及最低14mohm導通電阻的規格，在性能方面已接近國際先進水平。
2016年4月，東微半導推出的GreenMOS系列超級結MOSFET產品打破了國外廠商在充電樁功率器件領域的壟斷地位。根據Omdia統計，2019年全球MOSFET銷售額為84.20億美元，東微半導MOSFET產品銷售額為2843萬美元，在本土廠商中排名第七，占全球0.34%的市場份額。
▲2019年中國本土領先功率半導體廠商MOSFET功率器件全球銷售收入
報告期內，東微半導的各期毛利率分別為26.38%、14.93%、17.85%和26.75%。相比新潔能、華微電子、華潤微、揚杰科技、士蘭微等國內同行業可比公司，東微半導的毛利率變化趨勢一致，但整體毛利率水平存在差異。
▲東微半導與同行業可比公司毛利率對比
招股書稱，這主要是因為主營業務產品結構和生產經營模式不同，如華微電子、華潤微和士蘭微等可比公司采用IDM模式，不涉及晶圓的外部采購，毛利率受外部影響較低；而華微電子、華潤微、揚杰科技和士蘭微等可比公司產品種類相對較多，產品結構相對復雜，和東微半導專注MOSFET產品的經營策略有所不同。
值得注意的是，雖然東微半導研發人員占員工總數的比例達46%，但由于公司規模較小，其研發人員人數為31人，低于很多國內同行業上市公司。
除首席技術官王鵬飛外，東微半導核心技術人員還包括研發總監劉磊、資深研發工程師劉偉和資深研發工程師毛振東。
劉磊碩士畢業于安徽大學電路與系統學院，2007年9月至2009年7月，擔任華潤上華半導體科技有限公司技術轉移部工藝整合工程師；2009年7月加入東微有限。
劉偉本科畢業于南京郵電大學微電子學專業，曾在東莞奇力新電子有限公司、蘇州可勝科技有限公司任工程師職務；2009年8月，劉偉加入東微有限。
毛振東則為中國科學院大學集成電路設計學院碩士學歷，曾在華晶電子集團、華潤上華科技有限公司、蘇州硅能半導體科技股份有限公司任職，2015年3月加入東微有限。
報告期內，東微半導研發投入分別為1603萬元、1202萬元、1599萬元和1650萬元，占營收比例分別為10.49%、6.13%、5.18%和5.14%。截至2021年6月30日，東微半導已獲授權的專利有53項，包括境內發明專利37項、實用新型專利1項，以及境外專利15項。
▲東微半導研發投入與占比情況
四、聯合創始人為實際控制人，曾獲華為哈勃投資
由于股權較為分散，東微半導無控股股東，其實際控制人為聯合創始人王鵬飛和龔軼，通過直接或間接持股及通過一致行動安排合計共同控制了43.51%的股份。
自200年創建以來，東微半導已獲得多輪融資，投資者包括元禾資本、國中創投、中興創投、中芯聚源、華為哈勃投資等行業知名投資機構。
本次IPO發行前，持有東微半導5%以上的非個人股東有原點創投、聚源聚芯、中新創投和哈勃投資4家，分別持有15.18%、9.95%、7.12%和6.59%的股份。
▲東微半導股本情況
結語：東微半導上市或彌補經營規模缺陷
東微半導聯合創始人王鵬飛曾在英飛凌、奇夢達和復旦大學等國內外企業和學校任職，有著較強的研發實力。同時，東微半導的自研MOSFET產品性能較為出色。但相比國內外行業龍頭，東微半導經營規模較小，在研發投入和人員數量上都存在不足。
本次上市后，東微半導或將彌補這一缺陷，加強研發投入和經營規模上，擴大國產功率半導體的市場份額。
